根据WSTS的数据，2024 年第一季度全球半导体市场规模为1377亿美元。2024年第一季度比2023年第四季度下降5.7%，比去年同期增长 15.2%。今年第一季度通常比上一年第四季度季节性下降。然而，2024年第一季度5.7%的降幅比预期的要差。
主要半导体公司在2024年第一季度的业绩喜忧参半。从2023年第四季度到2024年第一季度的收入变化从美光科技报告的23%增长到意法半导体报告的 19% 下降不等。5家公司的收入环比增长，9家公司的收入下降。英伟达继续成为最大的半导体公司，收入为260亿美元。排名靠前的公司的总收入增长了2%，存储芯片厂商增长了12%，非存储厂商下降了2%。
公司提供了不同的 2024 年第二季度收入指引。美光预计存储芯片需求将持续强劲，预计 2024 年第二季度的收入将比 2024 年第一季度增长 13%。其他7家公司预计 2024 年第二季度的收入将增加。人工智能 （AI） 被英伟达、三星和 SK 海力士列为主要增长动力。恩智浦半导体预计2024年第二季度将与2024年第一季度持平。3家公司预计会下降。高通（Qualcomm）和联发科（MediaTek）看到智能手机的季节性下降。意法半导体（STMicroelectronics）的收入指引最低，由于工业部门库存过剩，下降了7.6%。提供指引的12家公司对2024年第二季度的综合展望为增长3%。
我们在 2024 年 4 月的时事通讯中指出，2024 年应该会在 PC 和智能手机等关键终端市场出现稳健的增长。一些在过去几年中出现增长的市场，如汽车和工业，似乎正在减弱。人工智能是一个新兴的增长动力。根据国际货币基金组织的数据，预计未来两年全球经济将稳定增长3.2%。这些因素应该支持 2024 年和 2025 年的半导体市场健康增长。然而，早先对2024年增长20%或更高的预测不太可能被证明是正确的。
今年3月，美国总统拜登宣布了一项协议，根据《芯片和科学法案》向英特尔提供85亿美元的直接资金和110亿美元的贷款。《芯片法案》为美国半导体行业提供了总计 527 亿美元的资金，其中包括 390 亿美元的制造激励措施。根据美国半导体行业协会（SIA）的数据，在英特尔获得资助之前，《芯片法案》已宣布向 GlobalFoundries、Microchip Technology 和 BAE Systems 提供总计 17 亿美元的赠款。
根据《芯片法案》获得的赠款来得很慢，第一批赠款是在通过一年多后宣布的。由于支付缓慢，美国的一些大型晶圆厂项目已被推迟。台积电还指出，很难找到合格的施工人员。英特尔表示，延迟也是由于销售放缓。
其他国家和地区也拨出资金来促进半导体生产。欧盟于 2023 年 9 月通过了《欧洲芯片法案》，该法案规定对半导体行业进行 430 亿欧元（470 亿美元）的公共和私人投资。2023 年 11 月，日本为半导体制造拨款 2 万亿日元（130 亿美元）。韩国于 2023 年 3 月通过了一项法案，为包括半导体在内的战略技术提供税收减免。中国台湾于 2024 年 1 月颁布了一项法律，为半导体公司提供税收减免。
今年半导体行业的资本支出（CapEx）前景如何？《芯片法案》旨在刺激资本支出，但大部分影响要到2024年之后才会发生。在去年半导体市场令人失望地下跌了8.2%之后，许多公司对2024年的资本支出持谨慎态度。Semiconductor Intelligence 估计 2023 年的半导体资本支出总额为 1690 亿美元，比 2022 年下降 7%。我们预测2024年资本支出将下降2%。
随着内存市场的复苏，主要内存公司普遍在 2024 年增加资本支出，预计人工智能等新应用将增加需求。三星计划在 2024 年将支出相对持平，为 370 亿美元，但没有削减 2023 年的资本支出。美光科技和SK海力士在2023年大幅削减资本支出，并计划在2024年实现两位数的增长。
最大的晶圆代工厂台积电计划在2024年花费约280亿~320亿美元，其中300亿美元的中档比2023年下降6%。中芯国际计划将资本支出持平，而联电计划增加10%。GlobalFoundries预计2024年的资本支出将削减61%，但随着它在纽约马耳他建造一座新晶圆厂，将在未来几年增加支出。
IDM方面，英特尔计划在 2024 年将资本支出提高 2% 至 262 亿美元。英特尔将增加代工客户和内部产品的产能。德州仪器（TI）的资本支出大致持平。TI 计划到 2026 年每年花费约 50 亿美元，主要用于其位于德克萨斯州谢尔曼的新晶圆厂。意法半导体将削减39%的资本支出，而英飞凌科技将削减3%。
三星、台积电和英特尔这三大支出者将在2024年占半导体行业资本支出的57%。
在半导体市场，资本支出的适当水平是多少？众所周知，半导体市场波动很大。在过去的40年中，年变化从1984年的增长46%到2001年的下降32%。尽管随着行业的成熟，它的波动性有所降低，但在过去5年中，它在 2021 年增长了 26%，在 2019 年下降了 12%。半导体公司需要在几年内规划其产能。建造一座新的晶圆厂大约需要两年时间，还需要额外的时间进行规划和融资。因此，半导体资本支出与半导体市场的比率差异很大，如下图所示。
半导体资本支出与市场规模的比率从34%的高点到12%的低点不等。5年平均比率在28%~18%之间。在1980~2023年，总资本支出占半导体市场的23%。尽管存在波动，但该比率的长期趋势一直相当一致。基于预期的强劲市场增长和资本支出下降，我们预计该比率将从 2023年的32%下降到2024年的 27%。
大多数对2024年半导体市场增长的预测都在13%~20%之间，Semiconductor Intelligence预测为18%。如果2024年像预期的那样强劲，那么随着时间的推移，公司可能会增加其资本支出。然后，我们可以看到2024年半导体资本支出的积极变化。
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鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。
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瞬态抑制二极管是用于保护敏感型电子设备免受高电压瞬变损害的电子元件。与大多数其他类型的电路保护设备相比，它们可更快地应对过电压现象。下面，鲁晶半导体给大家介绍几个瞬态抑制二极管选型技巧。
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在二极管正极加正电压，负极加负电压。称二极管外加正向电压，这时二极管有电流流过，处于导通状态。在二极管正极加负电压，负极加正电压，称二极管外加反向电压，这时二极管无电流流过处于截止状态。这种特性就是二极管的单向导电性。那么二极管为什么只能单向导电呢，下面我们就来了解一下。
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晶体三极管是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中。它由三个区域构成，分别是一个N型半导体区域（称为发射区或发射极）、一个P型半导体区域（称为基区或基极）和再一个N型半导体区域（称为集电区或集电极）。晶体三极管通过控制基极电流来控制集电极电流，以实现信号放大和开关动作。本文鲁晶来为大家介绍晶体三极管的结构和作用以及工作原理，希望对各位工程师朋友有所帮助。
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