今天分享的是：2024半导体设备系列报告之刻蚀设备：制程微缩叠加3D趋势，刻蚀设备市场空间持续拓宽

　　《2024半导体设备系列报告之刻蚀设备：制程微缩叠加3D趋势，刻蚀设备市场空间持续拓宽》对半导体刻蚀设备进行了深入剖析，包括行业发展现状、技术特点、应用领域以及市场竞争格局等方面，为读者全面展现了刻蚀设备在半导体制造中的重要地位和发展趋势。

　　- 地位与市场规模：刻蚀设备已成为集成电路采购额最大的设备类型，全球刻蚀设备市场规模约210.44亿美元，占晶圆制造设备总市场规模的22%。中国大陆连续四年成为全球最大半导体设备市场，刻蚀设备市场需求增长迅速。

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　　- 制程微缩推动需求增长：随着集成电路线nm及以下的逻辑芯片需要双重模板和四重模板工艺，对干法刻蚀设备的需求大幅增加。

　　- 3D趋势带来新机遇：3D集成电路的发展推动了刻蚀技术的发展，如3D NAND的堆叠层数竞赛开启，对高深宽比刻蚀和多堆栈堆叠技术提出了更高要求。

　　- 技术特点与发展：3D NAND通过垂直构造实现更大存储容量，其制造工艺涉及高深宽比刻蚀和多堆栈堆叠技术。堆叠层数不断增加，目前各大存储原厂量产的3D NAND最高层数多为200层以上，未来有望突破1000层。

　　- 刻蚀工艺：包括台阶刻蚀、狭缝刻蚀、沟道孔洞刻蚀和接触孔刻蚀等，这些工艺要求设备具有高深宽比刻蚀能力。

　　- 设备需求变化：随着堆叠层数的增加，刻蚀设备数量占比不断攀升，对设备的性能和稳定性要求也越来越高。

　　- 制程迭代与刻蚀挑战：DRAM制程持续迭代，20nm以下制程对刻蚀工艺和设备提出了更高的要求，如电容孔刻蚀是良率的瓶颈之一，深宽比可超80。

　　- 刻蚀技术发展：包括介质刻蚀和金属刻蚀等，不同制程和结构需要不同的刻蚀技术，如高功率CCP刻蚀设备用于高深宽比刻蚀。

　　- 器件结构与刻蚀要求：GAA晶体管是3nm以下节点的首选器件结构，制造过程中需要准确且高选择性的SiGe各向同性刻蚀。

　　- 刻蚀技术创新：多重曝光技术成为我国突破光刻极限的关键手段，如SA技术精度更高，所需刻蚀次数更多。

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　　- 技术原理与应用：TSV是先进封装的重要技术，通过在硅介质层上开孔并填充导体，实现介质层上下方垂直互连，提高系统性能。

　　- 刻蚀设备选择：Bosch刻蚀是TSV的关键工艺，通常选择ICP刻蚀设备。

　　- 干法刻蚀：是目前主流的刻蚀技术，占比超90%，包括电容性等离子体刻蚀（CCP）和电感性等离子体刻蚀（ICP）两大类。

　　- 其他技术：如原子层刻蚀（ALE）技术，可实现原子层尺寸和精度的器件加工，满足先进芯片对刻蚀工艺的高要求。

　　- CCP刻蚀设备：适用于蚀刻硬介电材料和孔/槽结构，具有较强的深宽比加工能力。

　　- ICP刻蚀设备：适用于蚀刻硬度低或较薄的材料以及挖掘浅槽，在TSV刻蚀等领域有广泛应用。

　　- 国际巨头：泛林集团、东京电子、应用材料等国际巨头在刻蚀设备市场占据主导地位，它们技术先进，客户资源丰富。

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　　- 北方华创：布局刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理四大应用领域，ICP/CCP刻蚀设备已累计出货超3200腔/100腔，TSV刻蚀设备市占率领先。

　　- 中微公司：刻蚀设备分为CCP和ICP两大类，可涵盖国内近95%的刻蚀应用需求，在逻辑集成电路和3D NAND芯片制造环节均有重要应用。

　　- 技术创新驱动发展：随着半导体技术的不断进步，刻蚀设备需要不断创新，提高刻蚀精度和效率，以满足日益增长的芯片制造需求。

　　- 市场需求持续增长：随着全球半导体市场的发展，尤其是人工智能、5G、物联网等领域的快速发展，对半导体芯片的需求不断增加，带动了刻蚀设备市场的持续增长。

　　- 产业协同发展重要性凸显：半导体产业链包括设计、制造、封装测试等多个环节，各环节之间需要协同发展，共同推动半导体产业的进步。刻蚀设备作为半导体制造的关键设备之一，需要与其他设备和技术紧密配合，实现产业的协同发展。