功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。功率半导体主要分为功率器件、功率IC。其中功率器件主要包括二极管、晶体管、晶闸管三大类别，其中晶体管是分立器件中市场份额最大的种类。常见晶体管主要有BJT、IGBT和MOSFET。MOSFET和IGBT逐渐成为主流，而多个IGBT可以集成为IPM模块，用于大电流和大电压的环境。功率IC是由功率半导体与驱动电路、电源管理芯片等集成而来的模块，主要应用在小电流和低电压的环境。

　　按沟道结构划分，MOSFET可分为平面型、沟槽型和超结型三类。从分类标准看，MOSFET按载流子类型可分为N型和P型两大类;按沟道形成方式可分为增强型和耗尽型两种，增强型MOSFET是主要产品类型;按照沟道结构划分，可分为平面型、沟槽型(包含沟槽型与屏蔽栅型)和超结型三类。根据ICwise的数据，中国MOSFET是全球最大的消费市场，占比超过40%。2020-2024年中国MOSFET行业市场规模从218亿元增长到412亿元，年复合增速17%。

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　　截至2025年6月，2017-2024年，功率半导体设备领域投融事件数量共241件，投资金额共764亿元，平均每件投资金额为3.2亿元，体现出行业较好的资本吸引力。2025年1-5月，共有投资事件13件，投资金额18.4亿元，平均投资金额有所下降。从平均单笔投资金额来看，2023年单笔金额最高，达6.4亿元，其次是2024年，4.4亿元。一方面是技术不断突破，所需要的融资金额更高，另一方面是项目成熟度提升，Sic和GaN相关的投资题材火热，投资信心充分。

　　根据企业投融资目的地来看，目前行业内资金主要流向广东省，占比33%，其次是上海市，占比20%，浙江占比13%，江苏占比8%，北京、重庆占比接近，均为7%，其他省份占比5%以下。

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