今天分享的是：2024半导体设备行业报告：先进封装市场研究（报告出品方：广发证券）

　　HBM 技术成为算力芯片的重要升级方向。HBM(HighBandwidthMemory,高带宽存储器)是一种基于 3D 堆叠工艺的内存芯片，通过引入 TSV(硅通孔)和 3D 芯片堆叠等先进封装技术，以此突破单个DRAM 芯片的带宽瓶颈,从而可以实现大容量、高位宽、低能耗的 DDR组合阵列;目前市场上最主流的NVIDIA的 A100和 AMD 的 MI250X就分别搭载了 801128GB的HBM2E，而性能更为优异的 H100 则搭载了 80GB HBM3;而英伟达最新发布的H200作为H100 的升级款，依然采用 Hopper 架构(1GPU+6HBM)和台积电4纳米工艺，GPU芯片没有升级，主要的升级来自于首次搭载 HBM 3E存储芯片，在 H100(80GBHBM3,3.35TB/S)的基础上升级到了141GB,直接提升 76%,运行速率可达 4.8TB/S，HBM 的升级成为算力芯片重中之重。

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　　HBM 对先进封装提出了更高的要求。HBM作为AI算力芯片主流的存储芯片，主要的增量工艺包括 TSV、RDL、Microbumps 以及 TCB 键合包括未来可能的混合键合等，对先进封装的工艺及设备提出了更高的要求，其中，涉及较多的设备有键合设备(临时键合1解键合、TCB键合/混合键合等)、刻蚀机、电镀机、沉积设备(CVD、PVD 等)等。