国产半导体设备龙头拓荆科技，在今日（9月11日）盘后宣布一项46亿元规模的定增预案。

　　不仅如此，拓荆科技今日同步宣布的子公司增资公告还显示，大基金三期成立以来出手投资的首个产业项目终于浮出水面，且目标瞄准三维集成设备领域。

　　公告显示，拓荆科技拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过人民币46亿元，将用于高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目建设，其中将投入11亿元用于补充流动资金。

　　其中，高端半导体设备产业化基地建设项目以薄膜沉积设备扩产为主，拟在辽宁沈阳浑南区新建产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等，将引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地。

　　据介绍，该项目拟投入资金17.68亿元，项目建设期为5年。拓荆科技称，上述项目的实施，将大幅提升该公司高端半导体设备产能，支撑其PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力，并通过智能化配套设施建设，提升生产效率，充分满足下游市场及客户需求，扩大公司业务规模，从而进一步提升公司竞争能力和市场地位。

　　拓荆科技前沿技术研发中心建设项目，则以先进工艺设备开发为主，拟投入20亿元。

　　拓荆科技表示，通过该项目的实施，公司计划开展多款先进薄膜沉积设备的研发，包括PECVD、ALD、沟槽填充CVD等工艺设备，并逐步突破其中的前沿核心技术，进而形成一系列具有自主知识产权；同时，将持续进行PECVD、ALD、沟槽填充CVD等产品的优化升级，满足先进工艺的迭代需求。

　　公告显示，本次发行对象为不超过35名符合中国证监会规定条件的特定对象，发行数量为不超过公司发行前总股本的30%，即不超过约8391万股。

　　值得关注的是，拓荆科技在披露定增预案的同时，还宣布向控股子公司拓荆键科增资。

　　拓荆科技上述再融资项目主要关于薄膜沉积设备的扩产和新品研发，而对拓荆键科的增资，则是拓荆科技延续其在三维集成设备领域的战略布局。

　　其中，拓荆科技拟以不超过人民币4.5亿元，认缴拓荆键科新增注册资本人民币 192.1574万元，约2.7亿元将以上市公司对拓荆键科经评估后的债权出资、约1.8亿元以自有资金出资。

　　国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙）（下称“国投集新”）拟以不超过人民币4.5亿元，认缴拓荆键科新增注册资本人民币192.1574万元。

　　国投集新基金成立于2024年12月31日，背后的主要出资人为大基金三期，出资额710亿元，国投创业私募作为执行事务合伙人出资7100万元。

　　值得关注的是，根据已有公开信息来看，对拓荆键科的投资，也是大基金三期成立至今首度出手半导体产业项目。

　　上海华虹虹芯二期创业投资合伙企业(有限合伙)拟以不超过人民币3000万元，认缴拓荆键科新增注册资本人民币12.8105万元，该平台出资人包括国方创新、通富微电、华虹集团、太平洋保险等；海宁融创拟以不超过人民币 950万元认缴拓荆键科新增注册资本人民币4.0567万元，该平台由浙江国资担任LP。

　　增资完成后，拓荆科技对子公司拓荆键科的持股比例将降至53.5719%，拓荆键科二股东将为国投集新，持股比例为12.7137%；上海鑫强汇科技合伙企业（有限合伙）持股比例将降至10.4070%。

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　　按收益法评估，拓荆键科评估基准日净资产账面价值为5521.98万元，收益法评估后的股东全部权益价值为25.29亿元。

　　据了解，拓荆键科为公司控股子公司，主要聚焦应用于三维集成领域先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。

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　　拓荆键科现已先后推出了晶圆对晶圆混合键合设备、晶圆对晶圆熔融键合设备、芯片对晶圆键合前表面预处理设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测产品、键合套准精度量测设备、永久键合后晶圆激光剥离设备等产品。目前该公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户，致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。

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