2025年以来，AI应用大幅带动数据中心和高端芯片投资，全球半导体设备需求维持高位增长。最新SEMI数据显示，2025年全球半导体设备总销售额预计将达到1255亿美元，同比增长7.4%，其中先进逻辑与存储产能扩张成为主动力。中国大陆预计2026-2028年将继续领跑全球300mm设备投资，三年累计投资总额有望达到940亿美元。

　　本次梳理聚焦全球半导体设备市场扩张、AI带动存储与算力升级、国内设备与材料公司动态，逐一呈现各细分领域核心数据、技术变化和代表公司最新进展。

　　2025年全球300mm晶圆厂设备投资首次突破1000亿美元，2026年有望达1160亿美元，2028年预计增长至1380亿美元。Logic与Micro工艺三年内投资总额预计1750亿美元，先进节点（2nm及以下）成为投资重点。

　　中国市场方面，2023年中国半导体设备市场规模2190亿元，2024年升至2230亿元，2025年有望达到2300亿元，占全球35%。2024-2028年中国主流芯片节点产能年均增速26.5%，到2028年产能占比有望提升至42%。

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　　AI算力需求大幅提升高带宽存储器（HBM）及先进制程DRAM与3DNAND需求。2025年DDR4内存因多家原厂减产，价格持续上涨；DDR5、LPDDR5渗透加速，预计2026年PC用DDR5渗透率突破80%。

　　IDC预计，2025年全球AI服务器出货量同比增速达80%，每台AI服务器DDR5容量为普通服务器3-4倍，仅AI服务器将带来20亿GB新增DDR5需求。企业级SSD市场增长迅猛，2024-2029年NAND需求预计年均增速15%，SSD增速达24%，2026年QLC SSD有望迎来大规模增长。

　　长江存储、三星、SK海力士等公司在晶圆键合、3DNAND堆叠等新技术持续推进，长鑫存储产能同比增速有望接近50%，全球市场份额提升至8%。

　　先进逻辑制程已推进至2nm节点，台积电、英特尔推动GAA、CFET等新型晶体管工艺，极紫外光刻设备、多重曝光工艺加快渗透。

　　设备端，2nm及以下新节点对刻蚀、薄膜沉积、键合、涂胶显影等环节设备性能要求显著提升。HBM堆叠、3DNAND千层堆叠对减薄、TSV刻蚀、键合设备需求剧增。混合键合（W2W、D2W）技术带动高密度互连需求，相关设备（高精度对准系统、真空系统、温控系统等）市场空间扩大。国内厂商在CMP、量检测、离子注入等环节实现技术突破。

　　自主可控成为供应链安全关键。美国持续收紧高端设备出口限制，国产公司加速渗透。长鑫科技IPO推进，扩产有望拉动设备订单。

　　北方华创：刻蚀、薄膜沉积设备上半年收入超百亿元，湿法设备收入5亿元，收购芯源微完善前道清洗设备，3月正式进军离子注入机市场。

　　中微公司：主打等离子体刻蚀与薄膜沉积设备，2024年设立超微公司布局电子束量检测设备。

　　华海清科：CMP、减薄、划切等装备订单充足，晶圆再生业务扩产，切入离子注入设备。

　　精测电子：半导体前道量检测设备在手订单超18亿元，光谱散射、光学干涉、电子束/离子束量测等设备国内领先。

　　精智达：半导体存储器件测试设备首台高速测试机交付国内重点客户，测试产品线实现全站点布局。

　　长川科技：集成电路测试设备营收同比增长41.8%，产品覆盖SoC、逻辑、探针台、分选机等。

　　骄成超声：功率半导体、先进封装超声波设备实现批量交付，合作客户覆盖英飞凌、宏微科技、士兰微等。