纵观其融资历程，这家总部位于无锡的高端薄膜沉积设备制造商，在短短三年内已完成多轮融资：

　　研微半导体备受市场关注，源于其核心竞争力。本轮投资方永鑫方舟的投资团队指出，公司核心团队具备全球稀缺的复合研发背景——同时拥有NAND、DRAM与Logic三大领域设备开发经验，凭借这一独特优势，研微半导体在成立仅三年内，便高效完成了从团队组建到Fab厂验证的全流程。

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　　资料显示，公司初始由4位海归专家组成。目前，核心成员共10余位海外名校博士，均来自国际一流半导体设备企业，拥有10～20年的研发经验。

　　创始人兼董事长林兴，是美国加州大学博士，深耕半导体设备领域近20年。他曾任多家国际知名设备企业核心研发负责人，手握50余项国际专利。在其带领下，研微半导体在成立仅两年后，于2024年11月成功交付了首台国产300mm金属原子层沉积（ALD）设备，填补了国内该领域的空白。

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　　“这是一条难而正确的道路。”林兴回忆，研微半导体自成立之初便锚定国产替代赛道。

　　据了解，在芯片制造过程中，薄膜沉积是关键工序之一，它如同在硅片上“铺设”仅有原子层厚度的薄膜，每一步都精密度极高。原子层沉积（ALD）技术，凭借其原子层级的沉积特点，具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极佳等优势。

　　在研微半导体启动首台高端ALD设备研发时，纳米级薄膜沉积工艺的辉光等离子体稳定性问题一度让团队陷入僵局：多国博士团队昼夜攻关、跨国连线海外专家会诊仍难破局......直到某个深夜，林兴驱车加班时灵光乍现 ——症结竟藏在一个价值不足千元的射频元件中。这个深夜的“顿悟”，正是团队无数个日夜试错、坚守的缩影。

　　历经两年多沉淀，企业成功推出国内先进的纳米制程原子层沉积设备，此后便如同打通“任督二脉”，一台接一台国产替代设备陆续交付给国内集成电路领先企业。2025年4月，研微半导体实现逻辑芯片与先进封装领域“双交付”，支持TSV介质填充等先进工艺。企业成立三周年之际，研微半导体已实现四大产品线的全面覆盖与批量出货。

　　数据显示，全球薄膜沉积设备整体规模稳定增长，2023年市场规模为260亿美元，预计至2029年市场规模可达559亿美元。据上述投资方投资团队分析，目前海外大厂的高端半导体设备处于禁运状态，即使通过转运或者购买二手设备也无法及时获得大厂的调试、售后等服务。