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未来智造局丨国产半导体设备步入创新“无人区”——访微导纳米CTO

发布日期:2026-01-15 18:41 浏览次数:

  将自研量产的原子层沉积设备应用于28纳米节点集成电路前道生产线,打破了国际设备商的垄断,填补了国内空白,设备关键指标达到国际先进水平。在化学气相沉积(CVD)领域,2023年微导纳米开发的硬掩膜3D封装高端产线的国产设备,并持续获得批量订单。目前,微导纳米的半导体设备已覆盖逻辑芯片、

  从国内首台半导体原子层沉积(ALD)设备,到国内首批半导体硬掩膜,微导纳米产品从细分赛道切入,研发出一系列高端工艺装备,确立了公司在半导体薄膜沉积领域技术引领者的行业地位,部分产品实现进口替代。

  “微导纳米上市三年来,整体营收从2022年的6.85亿元增长至2024年的27亿元,增长四倍,其中半导体业务增长超过七倍。随着国产产能持续扩张,以及逻辑芯片、先进封装等环节国产化进程加速,作为核心设备供应商的微导将直接受益。”黎微明说。

  他表示,微导纳米产品已进入国内规模最大的几家逻辑芯片与存储芯片厂商产线,持续获得批量重复订单。2025年前三季度,公司半导体业务新增订单实现接近翻倍的增长。

  谈及微导纳米对未来订单的预期,黎微明说:“可以参考装备国产化率的增长速度,过去两年间,半导体设备的国产化率保持着每年20%至30%的增长幅度,公司希望实现快于行业整体国产化进程的订单增长速度。”

  黎微明透露,微导纳米依托创新保持市场和技术领先地位,研发投入占比接近25%,且长期以来坚持高研发投入。持续创新是驱动公司未来发展的关键,这一战略方向在未来几年仍将继续保持。

  据介绍,微导纳米近期发行的可转债项目规模约11.7亿元,其中一部分用于半导体设备量产的产能扩张,另有至少5亿元将投入研发领域,进一步巩固产品竞争力。

  “中国半导体设备当前已经走过了技术的积累阶段,进入增值创新阶段,逐渐步入创新‘无人区’。未来几年,即使当前最先进的技术方案,仍存在诸多可提升的空间,这为我们创造了更多市场机会。”

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  随着国产半导体设备由“低端替代”迈向“高端突破”,国内订单已实现快速增长,同时海外业务亦展现出突破潜力。

  黎微明说:“从产品竞争力来看,尽管微导纳米半导体设备开发起步相对较晚,但发展迅速,在部分领域与国际最先进供应商的竞争中,并非依靠国产化标签或价格优势取胜,而是凭借产品自身的先进性与核心性能获得市场认可。”

  国产半导体设备在国际市场上的竞争力大幅提升。目前,微导纳米已有相关设备出口至欧洲市场,未来几年,有望实现海外业务的进一步突破。

  步入“无人区”意味着前方没有现成的路线可循。黎微明认为,保持领先的关键在于能否从技术的“追随者”转变为“定义者”。微导纳米正在通过在ALD、CVD等核心技术上的深耕,针对下一代芯片的制造需求,提前布局新型薄膜材料、工艺整合及更优性价比的解决方案。

  此外,微导纳米与国内头部芯片制造商建立了深度协同研发机制。“从前沿技术预研到量产工艺验证,与客户紧密合作,共同探索未来技术路径。这种基于信任的深度绑定,加速了创新技术的产业化落地,正在构建一种新型的、以国内自主创新为核心驱动的产业生态。”黎微明表示,这种上下游的紧密协同,是穿越技术创新“无人区”不可或缺的支撑体系。

  在黎微明看来,中国半导体设备企业,特别是已在细分领域建立优势的企业,下一阶段的核心使命不仅是解决“有无”的问题,更是要面向未来,通过持续的原始创新,参与并引领全球技术标准的演进。

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